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kia3510a参数引脚图,逆变器mos管场效应管,75A100V-KIA MOS管
KIA3510A是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电阻最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷、100%雪崩测试，性能高效稳定；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；广泛应用于电源切换、LED电源等，封装...www.kiaic.com/article/detail/5254.html 2025-08-14
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逆变器mos管,30a500v场效应管,8150场效应管,KNH8150A-KIA MOS管
KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷使开关损耗最小化；坚固的多晶硅栅极工艺，性能优越、?适合高集成度电路设计；广泛用于无...www.kiaic.com/article/detail/5846.html 2025-08-08
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60nf06参数代换,逆变器mos管,KND3306B场效应管资料-KIA MOS管
60nf06代换型号KND3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，能够减少导电损耗，最小化开关损耗；具备高雪崩电流、开关速度快、耐冲击特性好，坚固可靠；提供环保无铅绿色设备，在电机控制、锂电池保护板、逆变器中高效稳定...www.kiaic.com/article/detail/5329.html 2025-05-13
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逆变器mos管,40a300v场效应管,KNP9130B参数引脚图-KIA MOS管
逆变器专用?MOS管KNP9130B采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(开启) 0.12Ω；具有低栅极电荷、快速恢复体二极管等特性，能够在短时间内完成导通和截止状态的转换，减少开关损耗，提高电源的转换效率；广泛应用于UPS、DC-AC逆...www.kiaic.com/article/detail/5624.html 2025-04-22
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逆变器mos管,1404场效应管代换,KNP2404A参数资料-KIA MOS管
1404场效应管代换型号KNP2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，高效率低损耗；高雪崩电流，提供无铅和绿色设备，确保性能稳定可靠；广泛应用于电源、DC-DC转换器等领域；封装形式：TO-...www.kiaic.com/article/detail/5588.html 2025-04-14
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逆变器mos管,60v130a场效应管,KIA2906AP参数资料-KIA MOS管
逆变器专用MOS管KIA2906AP漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(on)=5.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高雪崩耐量，稳定可靠，符合RoHS标准，绿色环保；优越的开关性能在逆变器、适配器、UPS电源中确保高效的电能转换...www.kiaic.com/article/detail/5421.html 2025-01-02
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逆变器mos管150a40v,TO-220,KNP2804A参数规格书-KIA MOS管
逆变器专用MOS管KNX2804A漏源击穿电压40V，漏极电流150A，采用专有新型沟槽技术，极低的导通电阻RDS（ON）3.0mΩ，以及低栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；快速恢复体二极管，实现高效稳定的电路控制；适用于锂电池保护板、DCDC转换器、同步...www.kiaic.com/article/detail/5378.html 2024-12-12
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逆变器mos管,100a40vmos管,KNP3204A场效应管参数资料-KIA MOS管
逆变器专用MOS管KNP3204A漏源击穿电压40V, 漏极电流100A ，采用专有新型沟槽技术，超低导通电阻RDS（导通）4mΩ，低栅极电荷，能够最大限度地减少导通损耗，高效率低损耗；快速恢复体二极管，稳定可靠；适用于DCDC转换器、逆变器、电源应用，封装形式：TO-220。...www.kiaic.com/article/detail/5375.html 2024-12-11
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500v场效应管,储能电源逆变器mos管,KIA13N50H参数-KIA MOS管
KIA13N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，导通电阻RDS（ON）0.4Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；13N50场效应管专用于500W逆变器后级电路，以及电子镇流器、DC-AC电...www.kiaic.com/article/detail/5284.html 2024-10-30
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逆变器mos管,500v15a,KNX6650A场效应管中文资料-KIA MOS管
KNX6650A场效应管采用专有平面新技术，漏源电压500V，漏极电流15A，为高压、高速功率开关应用而设计，RDS（ON）为0.33Ω；低栅电荷最小开关损耗、快速恢复体二极管，保证电源的稳定和可靠性；KNX6650A高压MOS管常用于逆变器，以及高效开关电源、有源功率因数校...www.kiaic.com/article/detail/5269.html 2024-10-23
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逆变器mos管,400v6a场效应管,KNP4540A参数资料-KIA MOS管
KNP4540A具有优异的性能和稳定性，是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS（ON）值为0.8Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，快速恢复体二极管，符合RoHS标准，优质可靠；KNP4540A场效应管广泛应用于适配器、充电器、SMPS备用电源等，封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5260.html 2024-10-18
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逆变器mos管,KIA6720N可代换IRF640参数,中文资料-KIA MOS管
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；低导通电阻、低栅极电荷使开关损耗最小化，符合RoHS，峰值电流与脉冲宽度曲线，高效稳定，广泛应用于逆变器、CRT、电视/监视器等领域。KIA6720N可以代换IRF640场效应管使用，封装形...www.kiaic.com/article/detail/5142.html 2024-08-12
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同步整流,逆变器MOS管,KCX3406A场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管
KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，RDS（开启）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低栅电荷、低反馈电容、开关速度快、改进的dvdt功能，稳定可靠；改进的工艺和电池结构经过特别定制，以最大限度地降低导通...www.kiaic.com/article/detail/5099.html 2024-07-23
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光伏逆变器MOS管,ru40190r参数代换,KIA2404A场效应管-KIA MOS管
KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流190A；超低导通电阻RDS（开启）（TYP）=2.2m?@VGS=10 V，提高开关效率降低损耗；100%雪崩试验、无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），稳定可靠，适合应用在光伏逆变、电鱼机、DC-DC转换器和离...www.kiaic.com/article/detail/5087.html 2024-07-16